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1974 年美国 GE 公司通过在高纯度 β － SiC 细粉中同时加入少量的 B 和 C ，采用无压烧结工艺，于 2020℃成功地获得高密度 SiC 陶瓷。目前，赣州尼龙砂，该工艺已成为制备 SiC 陶瓷的主要方法。美国 GE 公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于 1.732 是致密化的热力学条件，赣州尼龙砂哪家好，当同时添加 B 和 C 后， B 固溶到 SiC 中，使晶界能降低， C 把 SiC 粒子表面的 SiO2 还原除去，提高表面能

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碳化硅单晶体可以制作晶体管（二极管和三极管）。因为碳化硅的禁带宽度大，故做成的器件能耐高压和高温，是一种很好的大功率器件的材料。缺点是其单晶的制造比较困难，器件工艺也不成熟，而且在器件中的欧姆接触难以做好（因为是宽禁带半导体，重掺杂难以起作用）。碳化硅的硬度很大（仅次于金刚石），可用作为磨料。